MT41K256M16TW-093:P микросхема памяти, DRAM, DDR3L SDRAM, 4Гбит, 1.066ГГц

MT41K256M16TW-093:P: микросхема памяти от компании Micron Technology Inc., представляющая собой DRAM (Dynamic Random Access Memory) объемом 4 Гбит (Гигабит).

• Основные параметры:
• Тип памяти: DRAM (Dynamic RAM)
• Объем памяти: 4 Гбит (512 МБ)
• Количество битов на ячейку: 16 бит
• Форм-фактор: 96 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)

• Плюсы:
• Высокая плотность памяти
• Надежность благодаря технологии FBGA
• Скорость работы (не указано, но типичная для DRAM)

• Минусы:
• Уязвимость к потерям данных без постоянного питания
• Высокие требования к энергопитанию

• Общее назначение:
• Использование в системах хранения временной информации в различных устройствах

• В каких устройствах применяется:
• Компьютеры и серверы
• Мобильные устройства (ноутбуки, планшеты)
• Информационные системы и приборы