MT41K256M16TW-107:P микросхема памяти, SDRAM - DDR3L, 4Гбит, 933МГц, 1.283В ~ 1.45В

MT41K256M16TW-107: микросхема памяти DRAM от Micron Technology Inc.

• Тип памяти: DRAM (Dynamic Random Access Memory)
• Объем памяти: 4 Гбит (512 МБ)
• Форм-фактор: 96 FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
• Параметры работы: работа с частотой до 133 МГц

• Основные плюсы:
  • Высокая плотность: позволяет разместить большое количество памяти в компактном корпусе.
  • Скорость доступа: быстрый доступ к данным, что важно для многих приложений.
• Основные минусы:
  • Неустойчивость к перезаписи: данные в DRAM сохраняются только до следующей перезаписи.
  • Нужда в регулярной перезаписи: для предотвращения потери данных необходимо регулярное обновление.

Общее назначение: используется в различных устройствах, требующих больших объемов оперативной памяти, таких как серверы, рабочие станции, игровые консоли и некоторые виды мобильных устройств.

Применение:

• серверное оборудование
• рабочие станции
• игровые консоли
• мобильные устройства (например, ноутбуки с высокими требованиями к производительности)