Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Интегральные микросхемы
Модули памяти
MT47H256M8EB-25E:C
  • В избранное
MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C микросхема памяти, DRAM, DDR2 SDRAM, 2Гбит, 400МГц, 1.7В ~ 1.9В

  • В избранное
MT47H256M8EB-25E:C
MT47H256M8EB-25E:C

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Micron
  • Артикул:
    MT47H256M8EB-25E:C
  • Описание:
    Микросхема: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGAВсе характеристики

Минимальная цена MT47H256M8EB-25E:C при покупке от 1 шт 3 445 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MT47H256M8EB-25E:C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 4069 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    3 445 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики MT47H256M8EB-25E:C

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    DRAM
  • Технология
    SDRAM - DDR2
  • Объем памяти
    2Gb (256M x 8)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Clock Frequency
    400 MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page
    15ns
  • Время доступа
    400 ps
  • Напряжение питания
    1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    60-TFBGA
  • Исполнение корпуса
    60-FBGA (9x11.5)
  • Base Product Number
    MT47H256M8

Техническая документация

 MT47H256M8EB-25E:C.pdf
pdf. 0 kb

Описание MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc. Микросхема: Это интегральная схема оперативной памяти DDR3 SDRAM (Double Data Rate SDRAM).

  • IC DRAM 2Гбит: Объем памяти составляет 2 Гбит или 256 МБ.
  • PARALLEL 60FBGA: Поддерживает параллельный интерфейс и имеет корпус с 60 фпс (Фут-Пин Сет).

Основные параметры:

  • Тип: DDR3 SDRAM
  • Частота: 2500 МГц (PC3-20000)
  • Шина данных: 16 бит
  • Интерфейс: Parallel
  • Количество битов на модуль: 2 Гбит
  • Форм-фактор: FBGA (60 пинов)

Плюсы:

  • Высокая скорость передачи данных
  • Устойчивость к помехам
  • Многопользовательская архитектура
  • Низкая энергопотребляемость

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти
  • Требует более сложного питания и управления

Общее назначение:

  • Обработка больших объемов данных
  • Поддержка многозадачности
  • Высокая производительность в системах серверов, рабочих станций и игровых консолей

В каких устройствах применяется:

  • Серверные системы
  • Рабочие станции
  • Ноутбуки
  • Game Consoles
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП