MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Микросхема:

• Тип: IC DRAM (интегральная микросхема динамической памяти)
• Объем памяти: 2 Гбит (256 МБ)
• Интерфейс: ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ
• Количество выводов: 60 FBGA (плоская баллонообразная гетерогенная арматура)

Основные параметры:

• Номинальное напряжение питания: 3.3 В
• Частота работы: до 25 МГц
• Питание от стабилизированного источника: да
• Поддержка режима энергосбережения: да

Плюсы:

• Надежность и стабильность работы
• Доступность для широкого спектра устройств
• Экономичность по сравнению с более высокопроизводительными типами памяти

Минусы:

• Низкая скорость по сравнению с современными типами памяти
• Не подходит для высокопроизводительных систем

Общее назначение:

• Хранение временной информации в электронных устройствах
• Поддержка базовых функций устройств

В каких устройствах применяется:

• Мелкие бытовые приборы
• Промышленные контроллеры
• Микроконтроллеры
• Системы управления