MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR

Микросхема MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR Micron

• Тип: DRAM (Dynamic Random Access Memory)
• Объем памяти: 4 Гбит (512 МБ)
• Частота: 1.866 ГГц
• Форм-фактор: 200WFBGA (200-Wire Fine Pitch Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Технология: Низковольтная технология для работы с напряжением 1.8 В
• Номинальное напряжение питания: 1.8 В
• Время доступа: ~6 нс
• Поддерживаемые протоколы: DDR2

Плюсы:

• Энергетическая эффективность благодаря низкому напряжению питания
• Высокая скорость работы
• Малый размер за счет компактного форм-фактора 200WFBGA

Минусы:

• Уязвимость к помехам из-за низкого напряжения питания
• Высокие требования к проектированию платы для обеспечения стабильной работы

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах и графических картах
• Работа с высокоскоростными процессами и алгоритмами
• Использование в системах с высокими требованиями к производительности

Применение в устройствах:

• Процессоры для серверов и рабочих станций
• Графические карты
• Системы хранения данных
• Профессиональное оборудование для обработки больших объемов информации