MT53E1G32D2NP-046 WT:B модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile LPDDR4, 32Гбит, 2.133ГГц, 1.1В

Размеры и описание:

• Маркировка: MT53E1G32D2NP-046 WT:B

• Производитель: Micron Technology Inc.

• Тип микросхемы: IC MEMORY DRAM 32G 1GX32 FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Объем памяти: 32 ГБ

• Строгость: 1G x 32

• Форм-фактор: FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

• Тип памяти: DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Плюсы:

• Высокая емкость и быстродействие

• Экономичное использование пространства благодаря компактному форм-фактору FBGA

• Высокая надежность и стабильность работы

• Поддержка высоких скоростей передачи данных

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с менее емкими моделями

• Требует специализированного оборудования для установки и обслуживания

Общее назначение:

• Увеличение объема оперативной памяти в серверах и системах высокой производительности

• Использование в графических процессорах и системах машинного обучения

• Поддержка больших баз данных и обработки больших объемов информации

В каких устройствах применяется:

• Серверы высокой производительности

• Графические процессоры

• Системы машинного обучения

• Большие базы данных

• Оборудование для обработки больших объемов информации