MT53E384M32D2DS-046 AUT:E

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc.

• Используемая микросхема: DRAM (Dynamic Random Access Memory)
• Объем памяти: 12 Гбит (1.5 ГБ)
• Частота работы: 2.133 ГГц
• Форм-фактор: 200WFBGA (200-Wire Fine Pitch Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Эта микросхема предназначена для высокопроизводительных систем, где требуется быстрое доступное хранилище данных.
• Частота работы 2.133 ГГц обеспечивает высокую скорость передачи данных.
• Объем памяти 12 Гбит соответствует современным требованиям к оперативной памяти.
• Форм-фактор 200WFBGA позволяет компактно разместить большое количество контактов для передачи данных.

Плюсы:

• Высокая скорость работы.
• Компактный размер благодаря использованию форм-фактора 200WFBGA.
• Высокая надежность и стабильность работы.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с менее производительными моделями.
• Требует специализированного оборудования для установки из-за малого размера контактов.

Общее назначение:

• Используется в серверах, рабочих станциях и других высокопроизводительных системах.
• Подходит для применения в системах, требующих быстрого доступа к данным.

Применение:

• Серверы.
• Рабочие станции.
• Высокопроизводительные ПК.
• Профессиональное оборудование для обработки больших объемов данных.