MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile LPDDR4, 16Гбит, 2.133ГГц

Основные параметры:

• Маркировка: MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR
• Производитель: Micron Technology Inc.
• Тип микросхемы: DRAM (память)
• Объем памяти: 16 Гбит (2 ГБ)
• Частота работы: 2.133 ГГц
• Форм-фактор: 200WFBGA (200-пиновый фантомно-бесшовный гетерогенный монтаж)

Плюсы:

• Высокая плотность данных благодаря большому объему памяти.
• Высокая скорость работы благодаря высокой частоте.
• Долгий срок службы и надежность благодаря качественному производству Micron Technology Inc.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с менее дорогими вариантами памяти.
• Не подходит для всех устройств из-за специфического форм-фактора.
• Требует соответствующего питания и теплопрокладки из-за высокой рабочей частоты.

Общее назначение:

• Увеличение объема оперативной памяти в серверах и рабочих станциях.
• Поддержка высокоскоростных приложений и систем.
• Использование в высокопроизводительных системах, требующих больших объемов быстрой памяти.

В каких устройствах применяется:

• Серверы и рабочие станции.
• Высокопроизводительные компьютеры.
• Платформы искусственного интеллекта и машинного обучения.
• Системы обработки больших данных.