MT53E512M64D2NW-046 WT:B

MT53E512M64D2NW-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В

В избранное

Производитель:
MICRON
Артикул:
MT53E512M64D2NW-046 WT:B
Описание:
Микросхема: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGAВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 35 231 ₽/шт, купить MT53E512M64D2NW-046 WT:B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

595 шт
3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

Количество
Цена с НДС
1
35 231 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Выбрать все

Характеристики

Техническая документация

Техническая информация

pdf. 0 kb

Описание

Маркировка MT53E512M64D2NW-046 WT:B, производитель Micron

Описание: микросхема памяти DRAM объемом 32 ГБ с размещением на 512 МБ × 64 бит в форм-факторе FBGA.
Основные параметры:
- Тип памяти: DRAM (Dynamic Random Access Memory)
- Объем: 32 ГБ
- Размеры ячейки: 512 МБ × 64 бит
- Форм-фактор: FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Плюсы:
- Высокая емкость для современных приложений и систем
- Поддерживает высокие скорости передачи данных
- Экономичное энергопотребление
- Стабильная работа благодаря надежному размещению компонентов
Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с менее емкими моделями
- Требует специализированного оборудования для установки
Общее назначение: используется для увеличения объема оперативной памяти в серверах, рабочих станциях, графических процессорах и других системах, требующих высокой емкости и скорости.
Применение:
- Серверы и системы хранения данных
- Высокопроизводительные рабочие станции
- Графические карты
- Телекоммуникационные системы
- Автомобильные системы

Альтернативные маркировки

557-MT53E512M64D2NW-046WT:B-ND