MT53E512M64D2RR-046 WT:B

MT53E512M64D2RR-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В, 4266 Мб/с

В избранное

Производитель:
MICRON
Артикул:
MT53E512M64D2RR-046 WT:B
Описание:
Микросхема: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 79 406 ₽/шт, купить MT53E512M64D2RR-046 WT:B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

680 шт
3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

Количество
Цена с НДС
1
79 406 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Техническая документация

Техническая информация

pdf. 0 kb

Описание

Маркировка MT53E512M64D2RR-046 WT:B, производитель MICRON

Микросхема: IC MEMORY DRAM 32 ГБ 512МХ64 FBGA
Основные параметры:
- Тип памяти: DRAM (Dynamic Random Access Memory)
- Объем: 32 ГБ (32768 МБ)
- Размер ячейки: 512 Мбит (512МХ64)
- Пакет: FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Плюсы:
- Высокая емкость памяти
- Устойчивость к перезаписи данных
- Низкая цена по сравнению с другими типами памяти
- Скорость работы
Минусы:
- Возможность потери данных без постоянного питания
- Требует более сложной системы управления для обеспечения стабильной работы
Общее назначение: Используется для временного хранения данных в компьютерах и других цифровых устройствах.
В каких устройствах применяется:
- Личные компьютеры (ПК)
- Ноутбуки
- Серверы
- Телекоммуникационное оборудование
- Автомобильные системы
- Медицинское оборудование

Альтернативные маркировки

557-MT53E512M64D2RR-046WT:B-ND