MT54W1MH18JF-4

MT54W1MH18JF-4 Микросхема:

• Тип: СРАМ (память с запоминанием по адресу)
• Объем: 18 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Физический монтаж: 165 FBGA (Flip Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Рабочее напряжение: 3,3 В
• Частота: до 133 МГц
• Параллельное соединение: 256 бит
• Время доступа: 6 нс

Плюсы:

• Высокая скорость работы, что важно для систем с высокими требованиями к производительности.
• Надежность, благодаря использованию технологии СРАМ.
• Широкий диапазон рабочих температур, что делает их подходящими для различных условий эксплуатации.

Минусы:

• Высокая стоимость относительно других типов памяти, особенно для больших объемов.
• Уязвимость к воздействию электромагнитных полей, что может привести к ошибкам при работе.

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах и графических картах.
• Буферная память в системах хранения данных.
• Программное обеспечение и операционные системы.

В каких устройствах применяется:

• Компьютеры и ноутбуки.
• Системы хранения данных.
• Процессоры и графические карты.
• Телекоммуникационное оборудование.