MT55V512V36FT-10

MT55V512V36FT-10 Micron Technology Inc.

• Тип микросхемы: SRAM (Синхронная память с запоминанием)
• Объем памяти: 18 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Количество выводов: 100 TQFP (Терпстронг-квадратная пакетная форма)

Основные параметры:

• Частота работы: до 100 МГц
• Время доступа: 7 нс
• Рабочие напряжения: VCC = 2,5 В - 3,6 В
• Метод кэширования: Нет

Плюсы:

• Быстрая скорость доступа к данным
• Высокая плотность памяти
• Устойчивость к ошибкам
• Низкая задержка при чтении и записи

Минусы:

• Высокая энергопотребляемость по сравнению с DRAM
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM

Общее назначение:

• Кэширование данных в процессорах и графических картах
• Программное обеспечение для серверов и рабочих станций
• Телекоммуникационные устройства
• Автомобильные системы