MT58L128L32F1T-7.5 микросхема памяти, SRAM, 4Мбит, 113МГц, 7.5нс, 3.135В ~ 3.6В

MT58L128L32F1T-7.5 Micron Technology Inc. Микросхема: это интегральная схема памяти типа SRAM (Синхронная Регистровая Память) объемом 4 Мбит.

• Объем памяти: 4 Мбит (512 килобайт).
• Тип интерфейса: параллельный.
• Пакет: 100TQFP (ТермопластиковыйQuad Flat Package).

Основные параметры:

• Напряжение питания: 3.3 В.
• Частота работы: до 66 МГц.
• Время доступа: 5 нс.
• Поддержкаparity: да.

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным.
• Поддержка parity обеспечивает надежность данных.
• Удобство использования параллельного интерфейса.

Минусы:

• Высокое энергопотребление по сравнению с DRAM.
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM для больших объемов памяти.

Общее назначение:

• Буферизация данных.
• Кэширование.
• Хранение конфигурационной информации.

Применение:

• Интеллектуальные карты.
• Контроллеры.
• Модули для сетевых устройств.
• Программируемые логические устройства.