MUR860J

MUR860J WeEn Semiconductors Диод: ULTRAFAST POWER DIODE

• Основные параметры:
• Максимальный обратный напряжение (VR_BR) - 800 В
• Максимальная средняя обратная ток (IR_SM) - 450 мА
• Максимальный проводимый ток (I_ON) - 12 А
• Время восстановления обратного диода (trr) - менее 1 нс
• Плюсы:
• Высокая скорость восстановления обратного диода, что снижает потери энергии при срабатывании защитных механизмов
• Высокие значения максимального обратного напряжения и максимальной средней обратной тока обеспечивают надежную работу в широком диапазоне напряжений
• Высокая проводимость тока позволяет использовать диод в устройствах с высокой нагрузкой
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с более обычными диодами
• Требуют специального внимания при проектировании и монтаже из-за высоких параметров
• Общее назначение:
• Защита от обратного тока в электронных схемах
• Контроль тока в источниках питания
• Сглаживание пульсации напряжения в инверторах и преобразователях
• В каких устройствах применяется:
• Инверторы для приводов двигателей
• Преобразователи напряжения
• Электроэнергетические системы
• Автомобильные системы питания
• Системы управления мощностью