NCP1060BD060R2G

NCP1060BD060R2G от On Semiconductor — микросхема транзистора MOSFET с функцией блокировки.

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение включения V_GS = 60 В
  • Максимальный ток I_D = 35 А
  • Тип корпуса: 10SOIC
  • Частота работы до 100 кГц
• Плюсы:
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к скачкам напряжения
  • Компактный размер корпуса
  • Эффективное управление током
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с простыми транзисторами
  • Требует дополнительного проектирования для управления напряжением
• Общее назначение:
  • Использование в электронных системах для управления током
  • Применяется в источниках питания
  • Встроенные системы управления
• В каких устройствах применяется:
  • Системы управления мощностью
  • Автомобильные системы
  • Питание периферийного оборудования
  • Источники питания для бытовой техники