NCP5109BDR2G

NCP5109BDR2G от ON Semiconductor — микросхема IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый усилитель
  • Конструкция: половинный мост
  • Количество выводов: 8SOIC
  • Рабочее напряжение: до 60 В
  • Максимальная частота: до 200 кГц
  • Источник питания: Vcc = 5 В или 15 В
  • Максимальный ток нагрузки: до 4 А
• Плюсы:
  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и вес благодаря компактной 8SOIC-моментной базе
  • Устойчивость к шумам и помехам
  • Экономичное потребление энергии
• Минусы:
  • Требует дополнительных компонентов для работы
  • Могут возникать проблемы с термическим управлением при высоких нагрузках
• Общее назначение:
  • Управление полупроводниковой электронной нагрузкой
  • Применяется в системах управления двигателей
  • Используется в промышленном оборудовании и машинах
  • Поддержка цифровых и аналоговых сигналов управления
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленные приводы и системы автоматизации
  • Медицинское оборудование
  • Устройства бытовой техники с электродвигателями