NCS21912DR2G

Маркировка NCS21912DR2G, производитель ON Semiconductor, описание микросхемы:

• Тип: IC ОПАМП (операционный усилитель)
• Характеристика: ZER-DRIFT (нулевая смещение)
• Количество каналов: 2
• Форм-фактор: 8SOIC (маломощная оболочечная подложечная интегральная схема)

Основные параметры:

• Напряжение питания: 2.7 В – 36 В
• Нулевое смещение: 100 мВ при температуре 25°C, 400 мВ по диапазону температур
• Шум: 60 нВ/√Гц (1 кГц)
• Ускоренная стабильность нулевого смещения: 0.1 мВ/°C
• Частота пропускания: 1 МГц

Плюсы:

• Высокая точность и стабильность нулевого смещения
• Устойчивость к шуму и помехам
• Высокая частота пропускания
• Низкий потребляемый ток
• Малый размер и высокая надежность благодаря 8SOIC корпусу

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с обычными ОПАМПами
• Ограниченное количество каналов (в данном случае 2)

Общее назначение:

• Измерение слабых сигналов
• Применение в системах контроля и управления
• Инверторы и непосредственные преобразователи
• Применение в медицинских приборах и измерительной технике

В каких устройствах применяется:

• Автомобильная электроника
• Медицинское оборудование
• Измерительная техника
• Промышленные системы контроля и управления
• Системы связи