Вход/Регистрация
NCV20082DR2G
NCV20082DR2G микросхема, General Purpose, 2 схемы, 1.2 МГц, 1.8В-5.5В
- Производитель:onsemi
- Артикул:NCV20082DR2G
- Описание:Микросхема: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOICВсе характеристики
Минимальная цена NCV20082DR2G при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NCV20082DR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 1862 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1146 ₽
- 25105 ₽
- 25088 ₽
- 100080 ₽
- 750075 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:onsemi
- Артикул:NCV20082DR2G
- Описание:Микросхема: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOICВсе характеристики
Минимальная цена NCV20082DR2G при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NCV20082DR2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание NCV20082DR2G
NCV20082DR2G от ON Semiconductor — это операционный усилитель высокого навесного напряжения (OPAMP) с оболочкой 8SOIC.
- Основные параметры:
- Навесное напряжение: до 58 В
- Ток утечки входного канала: < 1 pA
- Диапазон усиления: до 140 dB
- ЧастотаResponseType: до 100 MHz
- Рабочая температура: -40°C до +125°C
- Плюсы:
- Высокое навесное напряжение
- Низкий ток утечки входного канала
- Высокая частотаResponseType
- Широкий диапазон рабочих температур
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с обычными операционными усилителями
- Требует специализированного оборудования для монтажа из-за 8SOIC оболочки
- Общее назначение:
- Анализаторы сигналов
- Цифровые фильтры
- Измерительные приборы
- Системы управления
- Применяется в:
- Автомобильных системах
- Промышленном оборудовании
- Беспроводных системах
- Энергетических системах
Выбрано: Показать
Характеристики NCV20082DR2G
Техническая документация
NCV20082DR2G.pdf pdf. 0 kb
