NCV303LSN17T1G

NCV303LSN17T1G от ON Semiconductor — это полупроводниковый элемент, предназначенный для использования в различных приложениях.

• Основные параметры:
• Тип: полевой транзистор MOSFET
• Тип полярности: N-канальный
• Размер напряжения на разделяющем слое (V_GS(th)): 2.5 В
• Максимальное напряжение на разделяющем слое (V_GS(max)): 20 В
• Максимальная токовая способность (I_D(max)): 17 А
• Технология производства: Si
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Низкое значение напряжения на разделяющем слое
• Высокая скорость переключения
• Устойчивость к импульсным нагрузкам
• Минусы:
• Высокие значения тепловыделения при максимальных нагрузках
• Требуется дополнительное охлаждение в некоторых приложениях
• Общее назначение:
• Контроль мощности в электронных устройствах
• Переключение высоких токов в электрических цепях
• Использование в системах управления двигателей
• Регулирование напряжения в источниках питания
• Применение в устройствах:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Источники питания для бытовой техники
• Системы управления приводами
• Электронные системы управления энергопотреблением