NCV70522DQ004R2G от ON Semiconductor — это полупроводниковый транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
- Основные параметры:
- Максимальное напряжение collector-emitter (VCE(sat)) — 4,5 В при токе 1 А
- Максимальный ток collector (IC) — 28 А
- Максимальная частота работы (fT) — 100 кГц
- Максимальное напряжение gate-source (VGS(th)) — 12 В
- Плюсы:
- Высокая эффективность
- Низкое сопротивление при проводе
- Долгий срок службы
- Устойчивость к перегреву
- Минусы:
- Высокие требования к системам охлаждения
- Требуются дополнительные компоненты для управления
- Общее назначение:
- Применяется в промышленных преобразователях питания
- Используется в системах управления двигателей
- Входит в состав инверторов для электродвигателей
- Реализует функции регулирования мощности в электроприборах
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы питания и управления
- Промышленные преобразователи
- Системы управления промышленными электродвигателями
- Энергоэффективные бытовые приборы
Вход/Регистрация
