NCV75215DB001R2G

NCV75215DB001R2G — это полупроводниковый элемент производства On Semiconductor. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

• Основные параметры:
• Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
• Стрекоза: N-канальный
• Размер токового канала: 30 mΩ
• Предел напряжения включенного состояния: 45 В
• Предел напряжения отключенного состояния: 600 В
• Рабочая температура: от -40°C до +125°C
• Преимущества:
• Низкий сопротивление в канале (30 мОм) обеспечивает высокую эффективность
• Высокое напряжение включенного состояния (45 В) и отключенного состояния (600 В) обеспечивают надежную работу в различных приложениях
• Высокая термическая стабильность
• Малый размер и легкость установки
• Недостатки:
• Стоимость может быть выше, чем у аналогичных компонентов
• Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева
• Общее назначение:
• Управление токами в электронных устройствах
• Изоляция и управление нагрузками в различных системах
• Регулирование напряжений и токов
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы
• Системы управления двигателем
• Промышленные системы управления
• Электронные системы питания
• Мобильные устройства