NIS5112D1R2G

NIS5112D1R2G от ON Semiconductor — микросхема электронного предохранителя с функцией hot-swap.

• Основные параметры:
• Разъем: 8-пиновый SOIC
• Номинальное напряжение: 45 В
• Максимальная токовая способность: 3 А
• Точность установки тока: ±5%
• Скорость отклика: 100 мс
• Плюсы:
• Автоматическое ограничение тока при превышении установленного значения
• Функция hot-swap для безопасной замены модулей без отключения питания
• Высокая точность установки тока
• Малый размер и высокая надежность
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с обычными предохранителями
• Необходимость дополнительных компонентов для работы
• Общее назначение:

Используется для защиты систем от перегрузок и короткого замыкания, обеспечения безопасности при подключении и отключении модулей в распределенных системах питания.

• Применение:
• Данные микросхемы широко используются в серверных системах и сетевых оборудовании для защиты модулей питания и других компонентов
• Установка в системах управления энергопотреблением для контроля тока
• В лабораториях и тестовых установках для безопасного подключения и отключения устройств