NIS5112D2R2G

NIS5112D2R2G от On Semiconductor — микросхема электронного предохранителя с функцией hotswap.

• Основные параметры:
  • Ток пропускания: 2.0 A
  • Диодный коэффициент сопротивления: 0.3 Ω при 2.0 A
  • Рабочее напряжение: 60 V
  • Частота работы: до 100 kHz
• Плюсы:
  • Высокая надежность благодаря точной регулировке тока пропускания
  • Уменьшение теплового стресса за счет быстрого включения и выключения
  • Снижение потерь энергии благодаря низкому диодному коэффициенту сопротивления
  • Упрощение дизайна за счет интеграции предохранителя и диода
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными предохранителями
  • Необходимость дополнительных компонентов для управления (если требуется)
• Общее назначение:
  • Защита от перегрузок и коротких замыканий в электрических цепях
  • Автоматическое отключение при превышении допустимого тока
  • Быстрая реакция на изменения нагрузки
• В каких устройствах применяется:
  • Сетевые адаптеры питания
  • Модули подключения к сети
  • Источники бесперебойного питания
  • Системы хранения данных
  • Профессиональное оборудование