NLSF3T125MNR2

NLSF3T125MNR2 наsemi — это полупроводниковый транзистор.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение коллектора-;base (V_CEO) составляет 120 В.
• Номинальная мощность (P_D) — 34 ВА.
• Ток насыщения (I_DS(on)) — 6 А.
• Технология производства — SiC (сапфир).
• Плюсы:
• Высокая эффективность работы при высоких температурах.
• Малый размер и вес.
• Высокая надежность и долговечность.
• Высокая скорость переключения.
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами.
• Необходимость специализированного оборудования для производства.
• Общее назначение:
• Использование в системах управления двигателей.
• Применение в источниках питания для электронных устройств.
• Работа в системах энергосбережения.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы.
• Системы энергопитания.
• Устройства управления двигателем.
• Источники питания для различных приборов и устройств.