Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G
;
NSBA123JDP6T5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NSBA123JDP6T5G при покупке от 4013 шт 13.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA123JDP6T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G onsemi TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: 2-полюсный PNP
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Объемный коэффициент усиления (hfe): 123
    • Максимальная мощность: 1200мВт
    • Температурный диапазон: -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокое рабочее напряжение
    • Стабильная работа при больших температурах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требует дополнительных компонентов для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах усилителей сигнала
    • Работа в цифровых и аналоговых цепях
    • Применение в источниках питания
    • Контроль нагрузки в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электронные усилители
    • Цифровые системы управления
    • Источники питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA123JDP6T5G

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    408mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-963
  • Исполнение корпуса
    SOT-963
  • Base Product Number
    NSBA123

Техническая документация

NSBA123JDP6T5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 448000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 4013 шт
  • Количество
    Цена
  • 4013
    13 ₽
  • 15000
    7.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена NSBA123JDP6T5G при покупке от 4013 шт 13.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBA123JDP6T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G onsemi TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: 2-полюсный PNP
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Объемный коэффициент усиления (hfe): 123
    • Максимальная мощность: 1200мВт
    • Температурный диапазон: -40°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокое рабочее напряжение
    • Стабильная работа при больших температурах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требует дополнительных компонентов для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах усилителей сигнала
    • Работа в цифровых и аналоговых цепях
    • Применение в источниках питания
    • Контроль нагрузки в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электронные усилители
    • Цифровые системы управления
    • Источники питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики NSBA123JDP6T5G

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    408mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-963
  • Исполнение корпуса
    SOT-963
  • Base Product Number
    NSBA123

Техническая документация

NSBA123JDP6T5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 4013 шт