NSBA143ZDXV6T1G транзистор, 2 PNP - Pre-Biased (Dual), 100мА, 50В, 500мВт

Размеры и описание:

• Маркировка: NSBA143ZDXV6T1G
• Производитель: ON Semiconductor
• Тип компонента: Транзистор
• Тип транзистора: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563

Основные параметры:

• VCEO (максимальное напряжение междуCollector и Emitter): 50В
• ICEO (максимальный ток Collector при VCE=0V): 100μA
• hFE (коэффициент усиления): от 30 до 150
• Температурный коэффициент hFE: -2% /°C
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Плюсы:

• Высокое значение VCEO позволяет использовать его в схемах с высокими напряжениями.
• Низкий ICEO обеспечивает минимальное потребление энергии.
• Устойчивость к температурным колебаниям благодаря низкому температурному коэффициенту hFE.

Минусы:

• Для некоторых приложений может быть недостаточно высоким значением VCEO.
• Меньшее значение hFE может ограничивать область применения.

Общее назначение:

• Используется для предварительного байасинга в различных электронных устройствах.
• Подходит для работы в источниках питания, регулируемых блоках питания, преобразователях и других схемах.

В каких устройствах применяется:

• Источники питания
• Регулируемые блоки питания
• Преобразователи
• Цифровые устройства
• Микросхемы управления