Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
NSBC114TPDXV6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSBC114TPDXV6T1G

NSBC114TPDXV6T1G

NSBC114TPDXV6T1G
;
NSBC114TPDXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBC114TPDXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSBC114TPDXV6T1G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBC114TPDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBC114TPDXV6T1G

Маркировка NSBC114TPDXV6T1G, производитель ON Semiconductor

  • Тип устройства: Транзистор преампера NPN/PNP
  • Рабочее напряжение: 50В
  • Форм-фактор: SOT563

Основные параметры:

  • Номинальный ток: NPN - 200мА, PNP - 150мА
  • Угол затухания: ≤ 8° (NPN), ≤ 7° (PNP)
  • Размеры корпуса: 1.9 мм x 1.4 мм x 0.6 мм

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Малый размер корпуса обеспечивает эффективное использование пространства на печатной плате.
  • Высокое качество и стабильность характеристик.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
  • Требуется дополнительная настройка при использовании в некоторых устройствах.

Общее назначение:

  • Использование в качестве преампера для усилителей сигнала.
  • Применяется в цифровых и аналоговых электронных устройствах.
  • Подходит для работы в широком диапазоне температур.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны и другие портативные устройства.
  • Компьютеры и периферийное оборудование.
  • Автомобильная электроника.
  • Домашние аудио и видео системы.
Выбрано: Показать

Характеристики NSBC114TPDXV6T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSBC114

Техническая документация

 NSBC114TPDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 210500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 4000
    13.7 ₽
  • 10000
    14.8 ₽
  • 20000
    11 ₽
  • 40000
    10.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSBC114TPDXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563Все характеристики

Минимальная цена NSBC114TPDXV6T1G при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSBC114TPDXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSBC114TPDXV6T1G

Маркировка NSBC114TPDXV6T1G, производитель ON Semiconductor

  • Тип устройства: Транзистор преампера NPN/PNP
  • Рабочее напряжение: 50В
  • Форм-фактор: SOT563

Основные параметры:

  • Номинальный ток: NPN - 200мА, PNP - 150мА
  • Угол затухания: ≤ 8° (NPN), ≤ 7° (PNP)
  • Размеры корпуса: 1.9 мм x 1.4 мм x 0.6 мм

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Малый размер корпуса обеспечивает эффективное использование пространства на печатной плате.
  • Высокое качество и стабильность характеристик.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
  • Требуется дополнительная настройка при использовании в некоторых устройствах.

Общее назначение:

  • Использование в качестве преампера для усилителей сигнала.
  • Применяется в цифровых и аналоговых электронных устройствах.
  • Подходит для работы в широком диапазоне температур.

В каких устройствах применяется:

  • Мобильные телефоны и другие портативные устройства.
  • Компьютеры и периферийное оборудование.
  • Автомобильная электроника.
  • Домашние аудио и видео системы.
Выбрано: Показать

Характеристики NSBC114TPDXV6T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    NSBC114

Техническая документация

 NSBC114TPDXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RN1706,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NHUMH10FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    75Кешбэк 11 баллов
    EMH3FHAT2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    74Кешбэк 11 баллов
    RN1703,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
    46Кешбэк 6 баллов
    RN2907,LF(CTТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1704,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
    44.5Кешбэк 6 баллов
    EMB2FHAT2RТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    87Кешбэк 13 баллов
    RN1904FE,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM
    74Кешбэк 11 баллов
    EMB3FHAT2RТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    56Кешбэк 8 баллов
    EMB60T2RТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
    63Кешбэк 9 баллов
    EMH53T2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
    63Кешбэк 9 баллов
    EMH9FHAT2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    59Кешбэк 8 баллов
    ACX114YUQ-13RТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT363
    26Кешбэк 3 балла
    RN4986FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    48Кешбэк 7 баллов
    EMH51T2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
    70Кешбэк 10 баллов
    RN2905FE,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
    72Кешбэк 10 баллов
    EMH1FHAT2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    29Кешбэк 4 балла
    DCX123JUQ-7-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K
    67Кешбэк 10 баллов
    EMB53T2RТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
    70Кешбэк 10 баллов
    RN1711,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
    44.5Кешбэк 6 баллов
    EMD6FHAT2RТранзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    67Кешбэк 10 баллов
    EMB59T2RТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
    63Кешбэк 9 баллов
    RN4905FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    43Кешбэк 6 баллов
    RN2901,LF(CTТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
    43Кешбэк 6 баллов
    RN1707,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RN2706,LFТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NHUMD2XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    BCR08PNDIGITAL TR SOT-363 50V 100MA
    29Кешбэк 4 балла
    UMH1NFHATNТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    80Кешбэк 12 баллов
    NHUMD10FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    98Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП