NSBC115TDP6T5G транзистор, 2 NPN - Pre-Biased (Dual), 100мА, 50В, 339мВт

NSBC115TDP6T5G onsemi TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963

• Основные параметры:
  • Тип транзистора: 2NPN
  • Напряжение вCollector-Base (V_CEO): 50В
  • Максимальная мощность при токе Collector (P_CMAX): 115Вт
  • Ток Collector (I_C): до 6А
  • Ток Base (I_B): до 140мА
  • Предвыведенный базовый ток (Prebias): Да
  • Объемный коэффициент температурного усиления (h_FE): 200-400
  • Форм-фактор: SOT963
• Плюсы:
  • Высокая мощность
  • Способность работать под высоким напряжением
  • Устойчивость к перегреву благодаря предвыведенному базовому току
  • Комpakтный размер благодаря использованию форм-фактора SOT963
• Минусы:
  • Высокие требования к системе охлаждения из-за высокой мощности
  • Необходимость точной настройки предвыведенного базового тока
• Общее назначение:
  • Использование в силовых электронных устройствах
  • Применение в системах управления мощностью
  • Работа в режимах включения/выключения с высокими нагрузками
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Мощные источники питания
  • Устройства для управления двигателем
  • Промышленное оборудование