Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
NSTB1002DXV5T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSTB1002DXV5T1G

NSTB1002DXV5T1G

NSTB1002DXV5T1G
;
NSTB1002DXV5T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSTB1002DXV5T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553Все характеристики

Минимальная цена NSTB1002DXV5T1G при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSTB1002DXV5T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSTB1002DXV5T1G

NSTB1002DXV5T1G onsemi Транзистор:

  • Тип: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP
  • Пакет: SOT553

Основные параметры:

  • VCEO: 50 В
  • IC: 10 А
  • hFE: 100-400 (в зависимости от конкретного диапазона)
  • Температурный коэффициент hFE: -2%/°C
  • TCase Max: 175 °C
  • TCase Operating: -40 до +150 °C

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Устойчивость к перегреву
  • Надежная работа при высоких температурах
  • Малый размер благодаря компактному пакету SOT553

Минусы:

  • Высокое напряжение может повредить транзистор
  • Требует внимания при проектировании для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Амплитудное усиление сигнала
  • Применяется в схемах предварительного усиления

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства бытовой техники
  • Системы управления двигателей
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NSTB1002DXV5T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA, 200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V, 40V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-553
  • Исполнение корпуса
    SOT-553
  • Base Product Number
    NSTB1002

Техническая документация

 NSTB1002DXV5T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 400000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 ₽
  • 4000
    17 ₽
  • 12000
    14.8 ₽
  • 28000
    13.3 ₽
  • 100000
    11.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSTB1002DXV5T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553Все характеристики

Минимальная цена NSTB1002DXV5T1G при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSTB1002DXV5T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSTB1002DXV5T1G

NSTB1002DXV5T1G onsemi Транзистор:

  • Тип: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP
  • Пакет: SOT553

Основные параметры:

  • VCEO: 50 В
  • IC: 10 А
  • hFE: 100-400 (в зависимости от конкретного диапазона)
  • Температурный коэффициент hFE: -2%/°C
  • TCase Max: 175 °C
  • TCase Operating: -40 до +150 °C

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Устойчивость к перегреву
  • Надежная работа при высоких температурах
  • Малый размер благодаря компактному пакету SOT553

Минусы:

  • Высокое напряжение может повредить транзистор
  • Требует внимания при проектировании для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Амплитудное усиление сигнала
  • Применяется в схемах предварительного усиления

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Электронные устройства бытовой техники
  • Системы управления двигателей
  • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NSTB1002DXV5T1G

  • Тип транзистора
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA, 200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V, 40V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-553
  • Исполнение корпуса
    SOT-553
  • Base Product Number
    NSTB1002

Техническая документация

 NSTB1002DXV5T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMF18XV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    37Кешбэк 5 баллов
    MUN5230DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    39Кешбэк 5 баллов
    MUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    40Кешбэк 6 баллов
    SMUN5113DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5235DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    SMUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5111DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5234DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5231DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5236DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    SMUN5131DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5215DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NSTB60BDW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5315DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5216DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5135DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5130DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    SMUN5237DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5334DW1T1GТранзистор
    46Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП