Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
NSVJ3910SB3T1G
NSVJ3910SB3T1G

NSVJ3910SB3T1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVJ3910SB3T1G
  • Описание:
    Тиристор: IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPHВсе характеристики

Минимальная цена NSVJ3910SB3T1G при покупке от 1 шт 131.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ3910SB3T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ3910SB3T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    400 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CPH
  • Base Product Number
    NSVJ3910
Техническая документация
 NSVJ3910SB3T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 6533 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    131 ₽
  • 100
    65 ₽
  • 1000
    49 ₽
  • 6000
    39 ₽
  • 15000
    38 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVJ3910SB3T1G
  • Описание:
    Тиристор: IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPHВсе характеристики

Минимальная цена NSVJ3910SB3T1G при покупке от 1 шт 131.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ3910SB3T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ3910SB3T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    400 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CPH
  • Base Product Number
    NSVJ3910
Техническая документация
 NSVJ3910SB3T1G.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП