Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
NSVJ6904DSB6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G
;
NSVJ6904DSB6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NSVJ6904DSB6T1G
  • Описание:
    Тиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUAВсе характеристики

Минимальная цена NSVJ6904DSB6T1G при покупке от 1 шт 251.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ6904DSB6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVJ6904DSB6T1G

Маркировка NSVJ6904DSB6T1G, производитель ON Semiconductor

  • Тип устройства: Тиристор с JFET (Junction Field-Effect Transistor) регулятором
  • Напряжение падения: -25В
  • Размер токового потока: 40mA
  • Количество термоконтактов: 4
  • Тип корпуса: TO-40

Основные параметры:

  • Напряжение падения: -25В указывает на максимальное напряжение, которое можно применять к устройству без разрушения.
  • Размер токового потока: 40mA определяет максимальный ток, который может безопасно протекать через устройство.
  • Количество термоконтактов: 4 позволяет эффективному отводу тепла от устройства.
  • Тип корпуса TO-40: обеспечивает надежную физическую защиту и теплоотвод.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию JFET для улучшенного управления.
  • Эффективный отвод тепла благодаря четырем термоконтактам.
  • Устойчивость к перенапряжению и перетоку.

Минусы:

  • Максимальный ток 40mA ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Стоимость может быть выше, чем аналогичных тиристоров без JFET.

Общее назначение:

  • Используется для контроля тока в электрических цепях.
  • Подходит для защиты электронных устройств от перенапряжений и перетоков.
  • Используется в приборах с переменным током и напряжением.

Применение:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование.
  • Аппаратура для тестирования и измерений.
  • Измерительные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ6904DSB6T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    25 Ohms
  • Рассеивание мощности
    700 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-CPH
  • Base Product Number
    NSVJ6904

Техническая документация

 NSVJ6904DSB6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3461 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    251 ₽
  • 10
    157 ₽
  • 100
    110 ₽
  • 500
    101 ₽
  • 1000
    91 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    NSVJ6904DSB6T1G
  • Описание:
    Тиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUAВсе характеристики

Минимальная цена NSVJ6904DSB6T1G при покупке от 1 шт 251.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ6904DSB6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVJ6904DSB6T1G

Маркировка NSVJ6904DSB6T1G, производитель ON Semiconductor

  • Тип устройства: Тиристор с JFET (Junction Field-Effect Transistor) регулятором
  • Напряжение падения: -25В
  • Размер токового потока: 40mA
  • Количество термоконтактов: 4
  • Тип корпуса: TO-40

Основные параметры:

  • Напряжение падения: -25В указывает на максимальное напряжение, которое можно применять к устройству без разрушения.
  • Размер токового потока: 40mA определяет максимальный ток, который может безопасно протекать через устройство.
  • Количество термоконтактов: 4 позволяет эффективному отводу тепла от устройства.
  • Тип корпуса TO-40: обеспечивает надежную физическую защиту и теплоотвод.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию JFET для улучшенного управления.
  • Эффективный отвод тепла благодаря четырем термоконтактам.
  • Устойчивость к перенапряжению и перетоку.

Минусы:

  • Максимальный ток 40mA ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Стоимость может быть выше, чем аналогичных тиристоров без JFET.

Общее назначение:

  • Используется для контроля тока в электрических цепях.
  • Подходит для защиты электронных устройств от перенапряжений и перетоков.
  • Используется в приборах с переменным током и напряжением.

Применение:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование.
  • Аппаратура для тестирования и измерений.
  • Измерительные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ6904DSB6T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    25 Ohms
  • Рассеивание мощности
    700 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-CPH
  • Base Product Number
    NSVJ6904

Техническая документация

 NSVJ6904DSB6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 757Кешбэк 263 балла
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 772Кешбэк 265 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 780Кешбэк 267 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 860Кешбэк 279 баллов
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 871Кешбэк 280 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 896Кешбэк 284 балла
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 900Кешбэк 285 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 985Кешбэк 297 баллов
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 063Кешбэк 309 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 147Кешбэк 322 балла
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 261Кешбэк 339 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 261Кешбэк 339 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 378Кешбэк 356 баллов
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 379Кешбэк 356 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 452Кешбэк 367 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 485Кешбэк 372 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 627Кешбэк 394 балла
    NTE133FET-AF AMP SWITCH
    2 163Кешбэк 324 балла
    NTE452JFET-N-CH UHF/VHF AMP
    2 849Кешбэк 427 баллов
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    222Кешбэк 33 балла
    2N4857N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 772Кешбэк 415 баллов
    2N4858N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 772Кешбэк 415 баллов
    2N3823N CHANNEL JFET
    3 431Кешбэк 514 баллов
    2N2608JFET
    3 697Кешбэк 554 балла
    2N2609JFETS
    3 909Кешбэк 586 баллов
    J111-D26ZJFET N-CH 35V 625MW TO92
    44Кешбэк 6 баллов
    J113-D74ZJFET N-CH 35V 625MW TO92
    99Кешбэк 14 баллов
    J112-D26ZJFET N-CH 35V 625MW TO92-3
    114Кешбэк 17 баллов
    J112-D27ZSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    114Кешбэк 17 баллов
    J175-D26ZJFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
    116Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП