Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
NSVJ6904DSB6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G
;
NSVJ6904DSB6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVJ6904DSB6T1G
  • Описание:
    Тиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUAВсе характеристики

Минимальная цена NSVJ6904DSB6T1G при покупке от 1 шт 235.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ6904DSB6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVJ6904DSB6T1G

Маркировка NSVJ6904DSB6T1G, производитель ON Semiconductor

  • Тип устройства: Тиристор с JFET (Junction Field-Effect Transistor) регулятором
  • Напряжение падения: -25В
  • Размер токового потока: 40mA
  • Количество термоконтактов: 4
  • Тип корпуса: TO-40

Основные параметры:

  • Напряжение падения: -25В указывает на максимальное напряжение, которое можно применять к устройству без разрушения.
  • Размер токового потока: 40mA определяет максимальный ток, который может безопасно протекать через устройство.
  • Количество термоконтактов: 4 позволяет эффективному отводу тепла от устройства.
  • Тип корпуса TO-40: обеспечивает надежную физическую защиту и теплоотвод.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию JFET для улучшенного управления.
  • Эффективный отвод тепла благодаря четырем термоконтактам.
  • Устойчивость к перенапряжению и перетоку.

Минусы:

  • Максимальный ток 40mA ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Стоимость может быть выше, чем аналогичных тиристоров без JFET.

Общее назначение:

  • Используется для контроля тока в электрических цепях.
  • Подходит для защиты электронных устройств от перенапряжений и перетоков.
  • Используется в приборах с переменным током и напряжением.

Применение:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование.
  • Аппаратура для тестирования и измерений.
  • Измерительные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ6904DSB6T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    25 Ohms
  • Рассеивание мощности
    700 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-CPH
  • Base Product Number
    NSVJ6904

Техническая документация

 NSVJ6904DSB6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 9156 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    235 ₽
  • 10
    147 ₽
  • 500
    85 ₽
  • 3000
    67 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVJ6904DSB6T1G
  • Описание:
    Тиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUAВсе характеристики

Минимальная цена NSVJ6904DSB6T1G при покупке от 1 шт 235.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVJ6904DSB6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVJ6904DSB6T1G

Маркировка NSVJ6904DSB6T1G, производитель ON Semiconductor

  • Тип устройства: Тиристор с JFET (Junction Field-Effect Transistor) регулятором
  • Напряжение падения: -25В
  • Размер токового потока: 40mA
  • Количество термоконтактов: 4
  • Тип корпуса: TO-40

Основные параметры:

  • Напряжение падения: -25В указывает на максимальное напряжение, которое можно применять к устройству без разрушения.
  • Размер токового потока: 40mA определяет максимальный ток, который может безопасно протекать через устройство.
  • Количество термоконтактов: 4 позволяет эффективному отводу тепла от устройства.
  • Тип корпуса TO-40: обеспечивает надежную физическую защиту и теплоотвод.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию JFET для улучшенного управления.
  • Эффективный отвод тепла благодаря четырем термоконтактам.
  • Устойчивость к перенапряжению и перетоку.

Минусы:

  • Максимальный ток 40mA ограничивает его использование в высокотоковых приложениях.
  • Стоимость может быть выше, чем аналогичных тиристоров без JFET.

Общее назначение:

  • Используется для контроля тока в электрических цепях.
  • Подходит для защиты электронных устройств от перенапряжений и перетоков.
  • Используется в приборах с переменным током и напряжением.

Применение:

  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Промышленное оборудование.
  • Аппаратура для тестирования и измерений.
  • Измерительные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVJ6904DSB6T1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    600 mV @ 100 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 5V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    25 Ohms
  • Рассеивание мощности
    700 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-CPH
  • Base Product Number
    NSVJ6904

Техническая документация

 NSVJ6904DSB6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVJ3910SB3T1GТиристор: IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    152Кешбэк 22 балла
    NSVJ6904DSB6T1GТиристор: JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
    235Кешбэк 35 баллов
    2SK1069-5-TL-ELOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE
    315Кешбэк 47 баллов
    UJ3N065080K3SТиристор: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    2 094Кешбэк 314 баллов
    UJ3N120070K3SТиристор: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    3 666Кешбэк 549 баллов
    UJ3N065025K3S650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    3 794Кешбэк 569 баллов
    UJ3N120065K3S1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
    3 909Кешбэк 586 баллов
    UJ3N120035K3S1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    5 395Кешбэк 809 баллов
    SST402 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    753Кешбэк 112 баллов
    LSBF510 SOT-23 3L ROHSHIGH GAIN, SINGLE N-CHANNEL JFET
    924Кешбэк 138 баллов
    SST204 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE
    924Кешбэк 138 баллов
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS3958 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 623Кешбэк 243 балла
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LS845 SOT-23 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 645Кешбэк 246 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 736Кешбэк 260 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 094Кешбэк 314 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 320Кешбэк 348 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП