Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
NSVMMUN2137LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMMUN2137LT1G

NSVMMUN2137LT1G

NSVMMUN2137LT1G
;
NSVMMUN2137LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMUN2137LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23Все характеристики

Минимальная цена NSVMMUN2137LT1G при покупке от 1 шт 32.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMUN2137LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMUN2137LT1G

Разрешенные параметры:

  • Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Маркировка: NSVMMUN2137LT1G

Основные параметры:

  • ICM: 0.5 A

  • VCE(sat): ≤ 400 mV при IC = 1 A

  • Ptot: 246 mW

  • VCEO: 30 V

  • hFE: 200-400 (при IC = 1 A, IE = 1.01 A)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения

  • Низкое напряжение насыщения

  • Высокий коэффициент усиления

  • Малый тепловыделение

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с аналогами

  • Малая термостабильность

Общее назначение:

  • Управляющие элементы в цифровых и аналоговых цепях

  • Инверторы

  • Цифровые логические элементы

  • Аmplifiers

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления двигателем

  • Цифровые часы и другие электронные часы

  • Беспроводные устройства

  • Мобильные устройства

Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMUN2137LT1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    246 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVMMUN2137

Техническая документация

 NSVMMUN2137LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 201000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    32.5 ₽
  • 6000
    5.6 ₽
  • 15000
    4.9 ₽
  • 21000
    4.6 ₽
  • 75000
    3.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMUN2137LT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23Все характеристики

Минимальная цена NSVMMUN2137LT1G при покупке от 1 шт 32.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMUN2137LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMUN2137LT1G

Разрешенные параметры:

  • Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

  • Производитель: ON Semiconductor

  • Маркировка: NSVMMUN2137LT1G

Основные параметры:

  • ICM: 0.5 A

  • VCE(sat): ≤ 400 mV при IC = 1 A

  • Ptot: 246 mW

  • VCEO: 30 V

  • hFE: 200-400 (при IC = 1 A, IE = 1.01 A)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения

  • Низкое напряжение насыщения

  • Высокий коэффициент усиления

  • Малый тепловыделение

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с аналогами

  • Малая термостабильность

Общее назначение:

  • Управляющие элементы в цифровых и аналоговых цепях

  • Инверторы

  • Цифровые логические элементы

  • Аmplifiers

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления двигателем

  • Цифровые часы и другие электронные часы

  • Беспроводные устройства

  • Мобильные устройства

Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMUN2137LT1G

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    246 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    NSVMMUN2137

Техническая документация

 NSVMMUN2137LT1G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП