Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NVBGS1D2N08H

NVBGS1D2N08H

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NVBGS1D2N08H при покупке от 1 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVBGS1D2N08H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVBGS1D2N08H

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    43A (Ta), 290A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.34mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 650µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    160 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10830 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5.7W (Ta), 259W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Техническая документация
NVBGS1D2N08H.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена NVBGS1D2N08H при покупке от 1 шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVBGS1D2N08H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVBGS1D2N08H

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    43A (Ta), 290A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.34mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 650µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    160 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10830 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5.7W (Ta), 259W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Техническая документация
NVBGS1D2N08H.pdf
pdf. 0 kb