Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NVMFD5875NLT1G

NVMFD5875NLT1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NVMFD5875NLT1G при покупке от 1100 шт 90 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5875NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5875NLT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 7.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    540pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.2W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5875
Техническая документация
NVMFD5875NLT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 13500 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1100
    90 ₽

Минимально и кратно 1100 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена NVMFD5875NLT1G при покупке от 1100 шт 90 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVMFD5875NLT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NVMFD5875NLT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 7.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    540pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    3.2W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Base Product Number
    NVMFD5875
Техническая документация
NVMFD5875NLT1G.pdf
pdf. 0 kb