NX3L1G384GW,125

NX3L1G384GW, 125 NXP USA Inc. Микросхема

• Основные параметры:
  • Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
  • Мощность: 384 ВА
  • Рабочее напряжение: до 125 В
  • Ток: до 16 А
• Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактный размер
  • Эффективное управление нагрузкой
• Минусы:
  • Высокая цена по сравнению с обычными транзисторами
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
  • Использование в системах управления электропитанием
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Регулировка напряжения и тока
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Приборы для домашнего использования
  • Промышленное оборудование
  • Системы управления энергопотреблением