Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
NXPSC166506Q
  • В избранное
  • В сравнение
NXPSC166506Q

NXPSC166506Q

NXPSC166506Q
;
NXPSC166506Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WeEn Semiconductors
  • Артикул:
    NXPSC166506Q
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена NXPSC166506Q при покупке от 1 шт 1234.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXPSC166506Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXPSC166506Q

NXPSC166506Q WeEn Semiconductors Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 600 В
    • Размеры: 6 мм x 6 мм
    • Ток прямого тока: 16 А
    • Максимальная рабочая температура: +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения (низкий ток стока)
    • Высокий коэффициент мощности при высоких температурах
    • Уменьшение размеров и веса устройств благодаря более высокой плотности мощности
    • Уменьшение тепловых потерь и потребления энергии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуются специальные меры по защите от ударов током
    • Требуются дополнительные меры по охлаждению из-за высокой температуры работы
  • Общее назначение:
    • Передача мощного прямого тока в электронных устройствах
    • Защита от обратного тока
    • Снижение потерь энергии в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и зарядки
    • Системы возобновляемых источников энергии
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Электроприводы и промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NXPSC166506Q

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    16A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 16 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    534pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    NXPSC

Техническая документация

 NXPSC166506Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 3003 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 234 ₽
  • 50
    712 ₽
  • 100
    660 ₽
  • 500
    611 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WeEn Semiconductors
  • Артикул:
    NXPSC166506Q
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена NXPSC166506Q при покупке от 1 шт 1234.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXPSC166506Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXPSC166506Q

NXPSC166506Q WeEn Semiconductors Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 600 В
    • Размеры: 6 мм x 6 мм
    • Ток прямого тока: 16 А
    • Максимальная рабочая температура: +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения (низкий ток стока)
    • Высокий коэффициент мощности при высоких температурах
    • Уменьшение размеров и веса устройств благодаря более высокой плотности мощности
    • Уменьшение тепловых потерь и потребления энергии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуются специальные меры по защите от ударов током
    • Требуются дополнительные меры по охлаждению из-за высокой температуры работы
  • Общее назначение:
    • Передача мощного прямого тока в электронных устройствах
    • Защита от обратного тока
    • Снижение потерь энергии в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и зарядки
    • Системы возобновляемых источников энергии
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Электроприводы и промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики NXPSC166506Q

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    16A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 16 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    534pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    NXPSC

Техническая документация

 NXPSC166506Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N1204RDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 163Кешбэк 174 балла
    1N5816RDO4 20 AMP RECTIFIER
    3 550Кешбэк 532 балла
    20F1020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F4020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F6020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    RS1JDFQ-13DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT
    57Кешбэк 8 баллов
    FM4001W-WDIODE GEN PURP 50V 1 A SMX
    156Кешбэк 23 балла
    R3000Диод: DIODE GEN PURP 3000V 200A DO15
    37Кешбэк 5 баллов
    R2500Диод: DIODE GEN PURP 2500V 200A DO15
    58Кешбэк 8 баллов
    1N5626Диод: R-600 PRV 3A
    892Кешбэк 133 балла
    1N5627R-800 PRV 3A
    879Кешбэк 131 балл
    1N1203DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 228Кешбэк 184 балла
    1N2138DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    2 708Кешбэк 406 баллов
    GI756Диод: R- 600 PRV 6A
    195Кешбэк 29 баллов
    NTE506Диод: R-SI-HI CUR/FAST SWITCH
    393Кешбэк 58 баллов
    1N1612DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N1185DO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 316Кешбэк 347 баллов
    1N1126ADO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 961Кешбэк 294 балла
    1N1615DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N5625R-400 PRV 3A
    372Кешбэк 55 баллов
    1N1196A20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 768Кешбэк 415 баллов
    1N1663STD RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    1N2128DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    1 112Кешбэк 166 баллов
    1N1616RDO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    1 174Кешбэк 176 баллов
    GI758R- 800 PRV 6A
    83Кешбэк 12 баллов
    1N4500SWITCHING DIODE
    5 238Кешбэк 785 баллов
    1N250ADO5 20 AMP SILICON RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    70HF100DO5 70 AMP SILICON RECTFIER KK
    2 446Кешбэк 366 баллов
    S4BDIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB
    67Кешбэк 10 баллов
    HS5JDIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
    435Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП