P3MS650100H-4CR микросхема тактовых импульсов, LVCMOS, 60МГц, 1.6В ~ 3.6В

P3MS650100H-4CR от ON Semiconductor — микросхема генератора сигнала сокращения помехи (EMI reduction) для 4-пакетика WDFN.

• Основные параметры:
  • Тип: Генератор сигнала
  • Форм-фактор: 4-пакетик WDFN
  • Частота работы: до 500 МГц
  • Количество выходов: 4
  • Напряжение питания: 2,7 В — 5,5 В
• Плюсы:
  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Снижение помех (EMI)
  • Малый размер пакетика
  • Удобство интеграции в дизайн
• Минусы:
  • Цена может быть выше по сравнению с аналогичными компонентами
  • Необходимость соблюдения специальных требований при разработке платы
• Общее назначение: Используется для генерации сигналов с высокой частотой, снижения уровня электромагнитных помех и обеспечения стабильной работы цифровых систем.
• В каких устройствах применяется:
  • Системы связи
  • Автомобильная электроника
  • Медицинское оборудование
  • Информационные технологии и сетевые устройства
  • Производственное оборудование