Вход/Регистрация
SP1124-01UTGTVS DIODE 24VWM 44.7VC 2DFN
P4SMA33CAHE3_A/I
P4SMA33CAHE3_A/I
- Производитель:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Артикул:P4SMA33CAHE3_A/I
- Описание:TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214ACВсе характеристики
Минимальная цена P4SMA33CAHE3_A/I при покупке от 1 шт 141.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить P4SMA33CAHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 7500 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1141 ₽
- 10055 ₽
- 100037 ₽
- 750025 ₽
- 2250024.5 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Артикул:P4SMA33CAHE3_A/I
- Описание:TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO214ACВсе характеристики
Минимальная цена P4SMA33CAHE3_A/I при покупке от 1 шт 141.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить P4SMA33CAHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание P4SMA33CAHE3_A/I
P4SMA33CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division TVS диод 28.2VWM 45.7VC DO214AC
- Основные параметры:
- Рабочее напряжение (VWM): 28.2 В
- Максимальное неприкосновенное напряжение (VBR): 45.7 В
- Форма пакета: DO214AC
- Плюсы:
- Высокая скорость отклика
- Малый размер и легкий вес
- Устойчивость к перенапряжению
- Минусы:
- Могут быть чувствительны к механическим воздействиям
- В некоторых случаях могут не обеспечить надежную защиту при очень высоких импульсах напряжения
- Общее назначение:
- Защита электронных компонентов и устройств от статического электричества (ESD)
- Защита от импульсных перенапряжений (ИПН)
- Защита от молниеносных разрядов (ЛЭП)
- Применение:
- Системы управления
- Автомобильная электроника
- Компьютеры и периферийное оборудование
- Телекоммуникационное оборудование
- Медицинское оборудование
Выбрано: Показать
Характеристики P4SMA33CAHE3_A/I
Техническая документация
P4SMA33CAHE3_A/I.pdf pdf. 0 kb