
Войдите в профиль
Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения
Москва


Минимальная цена PDTC143ET,215 при покупке от 1 шт 27.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTC143ET,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Разрешенные параметры:
Маркировка PDTC143ET,215: Это код модели транзистора, указывающий на его характеристики.
Производитель Nexperia USA Inc.: Компания-производитель чипов.
Тип транзистора: NPN; биполярный: Транзистор с положительным управлением, где база управляет током между эмиттером и коллектором.
BRT (Быстродействующий): Обозначает быстродействие транзистора.
НапряжениеCollector-Emitter (VCEO): 50В: Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером.
Максимальный токCollector (ICM): 0,1А: Максимальный ток, который может проходить через коллектор.
Мощность (Ptot): 250мВт: Максимальная мощность, которую может выдерживать транзистор.
Оболочка: SOT23, TO236AB: Форм-факторы корпуса, которые определяют размер и способ установки.
Плюсы:
Быстродействие (BRT).
Компактность (SOT23 и TO236AB).
Высокое напряжение и мощность для своих размеров.
Минусы:
Небольшой токCollector (0,1А), что ограничивает область применения.
Малая мощность (250мВт) по сравнению с некоторыми аналогами.
Общее назначение:
Используется в различных электронных устройствах, где требуется низкоточный управление током.
Подходит для цифровых и аналоговых приложений, требующих быстродействия.
Используется в системах управления силами, сенсорных интерфейсах и других приложениях.
Применяется в:
Цифровых системах управления.
Аналоговых преобразовательных цепях.
Системах защиты и управления силами.
Интерфейсах с датчиками и сенсорами.
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
Минимальная цена PDTC143ET,215 при покупке от 1 шт 27.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTC143ET,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Разрешенные параметры:
Маркировка PDTC143ET,215: Это код модели транзистора, указывающий на его характеристики.
Производитель Nexperia USA Inc.: Компания-производитель чипов.
Тип транзистора: NPN; биполярный: Транзистор с положительным управлением, где база управляет током между эмиттером и коллектором.
BRT (Быстродействующий): Обозначает быстродействие транзистора.
НапряжениеCollector-Emitter (VCEO): 50В: Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером.
Максимальный токCollector (ICM): 0,1А: Максимальный ток, который может проходить через коллектор.
Мощность (Ptot): 250мВт: Максимальная мощность, которую может выдерживать транзистор.
Оболочка: SOT23, TO236AB: Форм-факторы корпуса, которые определяют размер и способ установки.
Плюсы:
Быстродействие (BRT).
Компактность (SOT23 и TO236AB).
Высокое напряжение и мощность для своих размеров.
Минусы:
Небольшой токCollector (0,1А), что ограничивает область применения.
Малая мощность (250мВт) по сравнению с некоторыми аналогами.
Общее назначение:
Используется в различных электронных устройствах, где требуется низкоточный управление током.
Подходит для цифровых и аналоговых приложений, требующих быстродействия.
Используется в системах управления силами, сенсорных интерфейсах и других приложениях.
Применяется в:
Цифровых системах управления.
Аналоговых преобразовательных цепях.
Системах защиты и управления силами.
Интерфейсах с датчиками и сенсорами.
