Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PDTD113ET,215

PDTD113ET,215

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PDTD113ET,215 при покупке от 1 шт 37.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTD113ET,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PDTD113ET,215

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    33 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PDTD113
Техническая документация
PDTD113ET,215.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    в наличии
  • 1365 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37.5 ₽
  • 5
    29.6 ₽
  • 10
    25 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена PDTD113ET,215 при покупке от 1 шт 37.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PDTD113ET,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PDTD113ET,215

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    33 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    250 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Base Product Number
    PDTD113
Техническая документация
PDTD113ET,215.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем