Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
PMV65XP,215

PMV65XP,215

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена PMV65XP,215 при покупке от 1 шт 73 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMV65XP,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PMV65XP,215

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    74mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    744 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    480mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    PMV65
Техническая документация
PMV65XP,215.pdf
pdf. 0 kb
  • 169966 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    73 ₽
  • 100
    27.6 ₽
  • 1000
    15.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена PMV65XP,215 при покупке от 1 шт 73 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить PMV65XP,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики PMV65XP,215

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    74mOhm @ 2.8A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    744 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    480mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    PMV65
Техническая документация
PMV65XP,215.pdf
pdf. 0 kb