PUMD3/ZL,165

PUMD3/ZL,165 NXP USA Inc. Транзистор: PUMD3 - NPN/PNP RESISTOR-EQUIPPE

• Основные параметры:
  • Тип: NPN/PNP
  • Мощность: 250 мВт
  • Токcollector-emitter (I_CEO): 10 μA
  • Токbase-emitter (I_BEO): 0.1 μA
  • Угол усиления: β = 100-300
  • Рабочий температурный диапазон: -40°C до +125°C
• Плюсы:
  • Высокая стабильность характеристик
  • Надежность при работе в широком диапазоне температур
  • Простота интеграции в схемы
  • Малый размер
• Минусы:
  • Меньшая мощность по сравнению с другими типами транзисторов
  • Могут быть чувствительны к электрическим помехам
• Общее назначение:
  • Усиление сигналов
  • Переключение нагрузок
  • Измерение напряжений и токов
  • Строительство логических элементов
• В каких устройствах применяется:
  • Мобильные устройства
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Домашние приборы
  • Компьютерная периферия