R1LP0108ESN-5SR#B0

R1LP0108ESN-5SRB0 от Renesas Electronics Corporation — микросхема типичного напряжения питания 3.3 В, интегральная центральная память синхронного RAM (SRAM) объемом 1 мегабит (1 МБИТ).

• Основные параметры:
• Входное напряжение питания: 3.3 В
• Объем памяти: 1 мегабит (1 МБИТ)
• Размер пакета: 32 SOP (Surface Mount Package)
• Тип памяти: Синхронная RAM (SRAM)
• Шина данных: Параллельная
• Плюсы:
• Быстродействие и надежность благодаря использованию SRAM
• Параллельная шина данных обеспечивает высокую скорость доступа к памяти
• Малый размер пакета (32 SOP) позволяет эффективно использовать пространство на плате
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с ОЗУ типа DRAM
• Необходимость постоянного питания для сохранения данных
• Общее назначение:
• Кэш-память в процессорах и графических процессорах
• Буферная память для временного хранения данных в цифровых системах
• Программное обеспечение и приложения, требующие быстрого доступа к данным
• В каких устройствах применяется:
• Лэптопы и ноутбуки
• Системы управления производством (SCADA)
• Автомобильные системы
• Промышленное оборудование
• Цифровые камеры и видеокамеры