R1LV0108ESF-7SR#B0

R1LV0108ESF-7SRB0 от Renesas Electronics Corporation — это микросхема типа SRAM (Синхронная память с разрядным регистрационным устройством) объемом 1 МБИТ (мегабит).

• Основные параметры:
• Тип памяти: SRAM
• Объем: 1 МБИТ (1 048 576 бит)
• Интерфейс: параллельный
• Количество линий данных: 32
• Пакет: 32TSOP (32-разъемная поверхновая пакетная технология)
• Плюсы:
• Высокая скорость доступа к данным
• Прямой доступ к памяти без необходимости предварительного чтения адреса
• Устойчивость к ошибкам
• Малый размер и низкая энергопотребляемость по сравнению с DRAM
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Необходимость постоянного питания для сохранения данных
• Меньший объем по сравнению с современными типами памяти
• Общее назначение:
• Кэш-память в процессорах и других цифровых системах
• Работа с временным хранением данных в системах управления
• Небольшие объемы быстрой памяти в различных приборах и устройствах
• В каких устройствах применяется:
• Процессоры и системы на чипе (SoC)
• Автомобильные системы
• Медицинское оборудование
• Устройства связи и коммуникаций
• Промышленное оборудование