R1LV0108ESN-5SR#B0

R1LV0108ESN-5SRB0 — микросхема памяти от компании Renesas Electronics Corporation. Это интегральная синхронная память типа SRAM (Static Random Access Memory) объемом 1Мбит, использующая параллельный интерфейс и корпус 32SOP.

• Основные параметры:
• Тип памяти: SRAM
• Объем: 1Мбит (128 килобитов)
• Интерфейс: параллельный
• Количество битов на шине данных: 32
• Количество пакетов корпуса: 32
• Плюсы:
• Быстрый доступ к данным
• Надежность работы при высокой частоте
• Простота управления
• Малый размер и энергопотребление по сравнению с DRAM
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Необходимость постоянного питания для поддержания данных
• Меньший объем памяти по сравнению с DRAM при одинаковой площади
• Общее назначение:
• Буферизация данных
• Хранение конфигурационной информации
• Промежуточное хранение данных в системах обработки сигналов
• Поддержка быстрого доступа к информации в реального времени
• В каких устройствах применяется:
• Процессоры и микроконтроллеры
• Системы управления
• Телекоммуникационные устройства
• Автомобильные системы
• Оборудование для промышленных автоматизированных систем