R1LV0216BSB-5SI#S1 модуль памяти, SRAM, 2Мбит, Parallel, 55нс, 2.7В ~ 3.6В

R1LV0216BSB-5SI#S1 — микросхема памяти от компании Renesas Electronics Corporation. Это интегральная сеть запоминания (IC SRAM) объемом 2 Мбит, работающая в параллельном режиме.

• Основные параметры:
• Тип: SRAM (память с накоплением)
• Объем: 2 Мбит (256 килобайт)
• Интерфейс: параллельный
• Пакет: 44-штырьковый TSOP (Thin Small Outline Package)

• Плюсы:
• Быстрое чтение и запись данных
• Надежность и стабильность работы
• Простота использования в дизайне электронных систем

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с ОЗУ
• Не сохраняет данные при отключении питания

• Общее назначение:
• Хранение временных данных в процессорах и других цифровых системах
• Кэширование информации для ускорения обработки данных
• Сохранение настроек и конфигураций устройств

• В каких устройствах применяется:
• Компьютеры и ноутбуки
• Мобильные устройства
• Автомобильная электроника
• Производственное оборудование
• Медицинское оборудование