R1LV0408DSB-7LR#B0

R1LV0408DSB-7LRB0 от Renesas Electronics Corporation — это микросхема типа SRAM (Синхронная память с разрядом).

• Объем памяти: 4 Мбит
• Тип интерфейса: Параллельный
• Количество линий данных: 32
• Форм-фактор: 32 TSOP II

Основные плюсы:

• Высокая скорость работы благодаря синхронной структуре
• Устойчивость к помехам из-за использования синхронного интерфейса
• Малый размер и высокая плотность памяти

Основные минусы:

• Высокая энергопотребляемость по сравнению с асинхронными видами памяти
• Требует более сложного оборудования для тестирования и программирования

Общее назначение:

• Буферизация данных в системах обработки информации
• Хранение конфигурационной информации в программируемых устройствах
• Временное хранение данных в процессорных системах

Применяется в:

• Производственных контроллерах и системах автоматизации
• Автомобильных системах управления
• Системах сетевого оборудования
• Приборах измерения