R1RP0416DSB-2PR#D1

R1RP0416DSB-2PR#D1 — микросхема SRAM от Renesas Electronics Corporation

• Объем памяти: 4 МБит (Мегабит)
• Тип интерфейса: Параллельный
• Форм-фактор: 44-контактный TSOP II

Основные параметры:

• Время доступа к памяти: до 15 наносекунд
• Питание: 3,3 В
• Ширина битов: 32 бита
• Поддержка паритетного контроля ошибок (PCE)

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Надежность благодаря паритетному контролю ошибок
• Устойчивость к электромагнитным помехам
• Доступная цена для большого объема памяти

Минусы:

• Необходимо дополнительное оборудование для управления памятью
• Высокое энергопотребление по сравнению с другими типами памяти

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах
• Системная память в сетевых устройствах
• Память для временного хранения данных в устройствах связи
• Память для временного хранения данных в промышленных системах управления

Применение:

• Роутеры и коммутаторы
• Системы управления промышленными установками
• Мобильные устройства
• Системы хранения данных