R1RW0408DGE-2PR#B1

R1RW0408DGE-2PR#B1 — микросхема, выпущенная компанией Renesas Electronics Corporation. Это интегральная схема последовательной памяти (SRAM) объемом 4 Мбит.

• Основные параметры:
• Тип памяти: SRAM (последовательная)
• Объем: 4 Мбит
• Форм-фактор: 36SOJ (36-핀 surface-mount package)
• Интерфейс: параллельный

• Плюсы:
• Быстродействие
• Стабильность при работе
• Прямой доступ к данным
• Малый размер пакета

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с ОЗУ DRAM
• Требует большего энергопотребления для поддержания данных в оперативном состоянии

Общее назначение: Используется для кэширования данных в системах управления процессорами, в качестве временной памяти для быстрого доступа к часто используемым данным.

В каких устройствах применяется:

• Компьютеры
• Системы управления процессорами
• Производственные линии автоматизации
• Системы связи и коммуникаций
• Автомобильные системы