Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
R1RW0416DGE-2PR#B1

R1RW0416DGE-2PR#B1

R1RW0416DGE-2PR#B1
;
R1RW0416DGE-2PR#B1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    R1RW0416DGE-2PR#B1
  • Описание:
    Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJВсе характеристики

Минимальная цена R1RW0416DGE-2PR#B1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R1RW0416DGE-2PR#B1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R1RW0416DGE-2PR#B1

R1RW0416DGE-2PR#B1 — микросхема, выпущенная компанией Renesas Electronics Corporation. Это интегральный кристалл памяти типа SRAM (Синхронная Регистровая Память) с параллельным интерфейсом.

  • Объем памяти: 4 Мбит (512 КБ)
  • Форм-фактор: 44SOJ (44-пиновая оболочка соединений)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Тип памяти: SRAM (Синхронная регистровая память)

Плюсы:

  • Быстрая скорость работы
  • Надежность из-за использования SRAM
  • Поддержка синхронизации с системой
  • Малый размер и высокая плотность данных

Минусы:

  • Высокая энергопотребляемость по сравнению с ОЗУ DRAM
  • Необходимость постоянного питания для сохранения данных

Общее назначение:

  • Кэш-память в процессорах и графических адаптерах
  • Буферная память для временного хранения данных
  • Регистровые памяти для выполнения операций

В каких устройствах применяется:

  • Процессоры и графические ускорители
  • Системы управления
  • Аппаратные ускорители
  • Медицинское оборудование
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики R1RW0416DGE-2PR#B1

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    SRAM
  • Технология
    SRAM
  • Объем памяти
    4Mb (256K x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    12ns
  • Время доступа
    12 ns
  • Напряжение питания
    3V ~ 3.6V
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Исполнение корпуса
    44-SOJ
  • Base Product Number
    R1RW0416

Техническая документация

R1RW0416DGE-2PR#B1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    R1RW0416DGE-2PR#B1
  • Описание:
    Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJВсе характеристики

Минимальная цена R1RW0416DGE-2PR#B1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить R1RW0416DGE-2PR#B1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание R1RW0416DGE-2PR#B1

R1RW0416DGE-2PR#B1 — микросхема, выпущенная компанией Renesas Electronics Corporation. Это интегральный кристалл памяти типа SRAM (Синхронная Регистровая Память) с параллельным интерфейсом.

  • Объем памяти: 4 Мбит (512 КБ)
  • Форм-фактор: 44SOJ (44-пиновая оболочка соединений)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Тип памяти: SRAM (Синхронная регистровая память)

Плюсы:

  • Быстрая скорость работы
  • Надежность из-за использования SRAM
  • Поддержка синхронизации с системой
  • Малый размер и высокая плотность данных

Минусы:

  • Высокая энергопотребляемость по сравнению с ОЗУ DRAM
  • Необходимость постоянного питания для сохранения данных

Общее назначение:

  • Кэш-память в процессорах и графических адаптерах
  • Буферная память для временного хранения данных
  • Регистровые памяти для выполнения операций

В каких устройствах применяется:

  • Процессоры и графические ускорители
  • Системы управления
  • Аппаратные ускорители
  • Медицинское оборудование
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики R1RW0416DGE-2PR#B1

  • Тип памяти
    Volatile
  • Memory Format
    SRAM
  • Технология
    SRAM
  • Объем памяти
    4Mb (256K x 16)
  • Memory Interface
    Parallel
  • Write Cycle Time - Word, Page
    12ns
  • Время доступа
    12 ns
  • Напряжение питания
    3V ~ 3.6V
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Исполнение корпуса
    44-SOJ
  • Base Product Number
    R1RW0416

Техническая документация

R1RW0416DGE-2PR#B1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории